Etch PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
2018.03.19 10:54
안녕하세요. 반도체 장비업계에 근무하는 권보경입니다.
ICP 타입 O2 플라즈마에서 E/R drop의 이슈가 있었으나
PR wafer로 seasoning 후 회복되면서 일전과 비슷한 수준으로 saturation 되었습니다.
이 원리는 무엇이고 bare wafer seasoning은 효과가 있는지 알고싶습니다.
답변 부탁드립니다. 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] | 79245 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21263 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 58064 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69622 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 94410 |
819 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 146395 |
818 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134508 |
817 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 96688 |
816 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 79852 |
815 | Silent Discharge | 64589 |
814 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55290 |
813 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48215 |
812 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43795 |
811 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41412 |
810 | 대기압 플라즈마 | 40765 |
809 | Ground에 대하여 | 39698 |
808 | RF frequency와 RF power 구분 | 39198 |
807 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36442 |
806 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36143 |
805 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35070 |
804 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32737 |
우리가 플라즈마 공정을 생각할 때 공정과정에 신경을 쓰다 보니 생성 전/후에 대해서는 깊이 생각할 기회를 놓치곤 합니다. 하지만 실제 공정은 연속적으로 이뤄지는 경우가 많습니다. 따라서 플라즈마 공정을 살필때는 전/후 공정을 함께 생각하려는 노력이 필요하겠습니다.
입자들의 생성/소멸의 과정과 그 기여 인자를 생각해 보는 것 입니다. 입자들을 볼 때 우리는 균형방정식이라는 것을 세웁니다. 이름이 거창하지만, 이는 생성입자가 소멸입자와 같아야 해야 균형이 성립한다는 말입니다. 그 다음 생성의 종류를 고려해 보세요. 그리고 소멸의 종류를 생각해 보세요. 그 과정이 발생하는 곳을 찾아야 하고, 이 과정에 기여하는 운전인자를 찾는 것도 중요합니다. 그래야 조절 혹은 공정을 할 수가 있기 때문입니다. 이 과정이 가능하면, 그 다음으로 할 일은 공정 후에 다음 공정에서 이 공정으로 부터 인계되는 인자, 즉 그 값들은 다음 (후) 공정 다음에 연속되는 공정의 입력 (초기) 값이 됩니다. 따라서 초기값의 조절은 전공정으로 부터 조절이 되겠습니다.
Seasoning의 원리는 이와 같으니 현재 문제는 전 공정에서 원인을 찾아 보면 좋을 것이고, 이 같은 방법의 문제 의식은 앞으로 플라즈마 문제 해결에 도움이 될 것입니다. 잘 해결해 보시기 바랍니다.