Sheath RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [Plasma sheath, Stochastic heating]
2023.01.11 20:48
안녕하십니까 식각 관련 업무를 배우고 있는 엔지니어입니다. 알아본 바로는 LF일 때의 Sheath 영역이 HF일때보다 더 두껍다, 크다 라고 알고 있습니다. 이온의 이동성으로 생각해봤을 때, LF일 때가 HF일때 보다 이온이 반응할 수 있는 시간이 길고 이동이 더 가능하다. 즉, 이온의 밀집지역이 전극에서 더 멀어져있다, Sheath 영역이 더 두껍다 라고 이해했는데 이 생각이 맞는지 궁금합니다.
그리고 etch 진행시 LF power를 인가하면 Ion bombardment를 이용할 수 있다고 했는데, Sheath 영역이 더 두껍기 때문에 Ion을 끌어오기 더 용이해서라고 이해하면 되는지 궁금합니다. 답변주시면 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] | 78473 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21040 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57867 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69400 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93945 |
817 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 146267 |
816 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134494 |
815 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 96618 |
814 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 79808 |
813 | Silent Discharge | 64583 |
812 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55254 |
811 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48180 |
810 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43773 |
809 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41396 |
808 | 대기압 플라즈마 | 40754 |
807 | Ground에 대하여 | 39666 |
806 | RF frequency와 RF power 구분 | 39185 |
805 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36432 |
804 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36120 |
803 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35053 |
802 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32717 |
대략 맞는 분석입니다. 게시판에서 플라즈마 주파수와 쉬스 형성에 대해서 좀 더 조사해 보세요. 개념 정립에 도움이 될 것 같습니다. 요즘 dual f bias 가 유행이죠? 왜 그 특정 주파수의 중첩을 공정에서 필요로 하는지 이해가 가능할 겁니다.