Etch RIE Gas 질문 하나 드려도될까요?
2023.08.30 08:55
RIE(13.56Mhz) 설비 SET UP 도중 압력 0.2 Torr Gas SF6 30 Sccm 공정 조건에서 Matcher가 Matching position 을 잡지 못하고 흔들리는 현상으로 Matcher circuit에 Low pass filter 장착 후 그 현상이 사라 졌습니다.
위에 현상에 대한 정보가 부족 하지만 답변 주셔서 감사합니다.
특이사항이 CF4, Ar Gas 에서는 위에 현상이 나타나지않으며 SF6 가스에만 위에 현상이 나타나는건 Gas의 특성이라고 보면될까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76881 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20276 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68754 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92707 |
| 184 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43706 |
| 183 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34964 |
| 182 | PEALD관련 질문 [1] | 32646 |
| 181 | RF에 대하여... | 32048 |
| 180 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31689 |
| 179 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31578 |
| 178 |
[re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다.
 | 30057 |
| 177 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29774 |
| 176 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29276 |
| 175 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28966 |
| 174 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24893 |
| 173 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24670 |
| 172 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24187 |
| 171 | Arcing | 23847 |
| 170 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23776 |
| 169 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22780 |
| 168 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22551 |
| 167 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22171 |
| 166 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22096 |
| 165 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21949 |
제가 보기에는 sheath instability in negative ion plasma 현상으로 보입니다. 즉 쉬스 근방의 음이온과 양이온 그리고 전자들의 하전량의 변화가 주변의 전기장이 바뀌면서 입자 거동이 함께 변해 안정적인 입자 거동에 영향을 미치는 상황이 중첩되고 있음을 의미합니다. 따라서 쉬스 전기장의 주파수에 따라서 이를 업고 그 위에서 instability.가 생기게 되고, 이는 플라즈마로 부터 발생한 신호로 power 쪽으로 전달되어 matcher position이 잘 잡히지 않게 됩니다. 따라서 matcher가 불완전하다면, 거꾸로 sheath instability 가 발생했음을 알 수 있습니다.
sheath 내의 이온과 음이온에 의한 instability 로서, 음이온을 만드는 이온의 질량은 instability 를 만드는 인자가 됩니다. 따라서 SF6 에서 생겼으나, CF4에서는 발생하지 않았음은 음이온의 질량이 sheath instability의 인자임을 보입니다.
여기서 Ar 플라즈마는 음이온 즉 Ar- 를 만들지 않습니다. 비교적 아주 조용한 플라즈마라 할 수 있고, 이를 electropositive plasma라 합니다. 해서 플라즈마 장비의 특성을 평가할 때 일반적으로 많이 사용하는 가스이며, 음이온 플라즈마 (electronegative plasma)의 특성 평가시 비교 군으로 사용합니다. 참고하시면 좋을 것 같고, 특히 OES 신호로 써서 장비 플라즈마의 특성을 관찰하려는 공정진단을 계획하시거나 장비 성능 평가를 하실 경우, 아르곤 플라즈마를 기본 소스로 사용하시면 좋습니다.