공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[85]
| 2299 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 12785 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 49614 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 61090 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[2]
| 78408 |
46 |
DC Bias Vs Self bias
[5] | 30160 |
45 |
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
| 23622 |
44 |
N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2] | 23114 |
43 |
Dry Etcher 에 대한 교재
[1] | 22206 |
42 |
Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계
[1] | 21925 |
41 |
RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도
| 20138 |
40 |
ICP 식각에 대하여...
| 16506 |
39 |
안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
[1] | 10601 |
38 |
ICP와 CCP의 차이
[3] | 10415 |
37 |
에칭후 particle에서 발생하는 현상
| 8960 |
36 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 4763 |
35 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 4638 |
34 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 3541 |
33 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 3438 |
32 |
Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3279 |
31 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 3182 |
30 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 2657 |
29 |
안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1] | 2424 |
28 |
PR wafer seasoning
[1] | 2330 |
27 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
| 2282 |