안녕하세요, 현재 반도체 회사에서 근무 중입니다.

관리하는 설비 중 Decoupled Plasma를 사용하는 설비가 있습니다.

ICP Type의 설비이고 ESC Chuck은 사용하지않습니다.

pulsed rf power를 사용하는 설비인데, 여기서 decoupled plasma의 개념에 대해 궁금해서 질문남깁니다.

 

질문) Decoupled Plasma는 ion density와 ion energy를 분리한다는 의미인데 rf power의 상승에 따라 ion density는 상승하지만 ion energy는 낮은 상태를 유지하는 Mechanism이 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20245
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57186
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68738
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92575
96 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1241
95 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1240
94 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1161
93 Group Delay 문의드립니다. [1] 1147
92 자기 거울에 관하여 1143
91 전자 온도 구하기 [1] file 1143
90 wafer bias [1] 1135
89 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1135
88 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1131
87 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1126
86 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1090
» Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1052
84 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1043
83 플라즈마 코팅 [1] 1038
82 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1034
81 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1014
80 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 1005
79 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 974
78 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 972
77 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 963

Boards


XE Login