Sputtering 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다.
2019.03.04 10:48
안녕하세요.
PECVD로 탄소 박막을 합성하고, 표면을 Oxide 시키기 위해 plasma asher로 200W/30 min 동안
처리하였는데 반응이 없어 다른 방법을 모색중입니다.
그래서 스퍼터로 가능할까 싶어서 궁금증을 여기에 풀어 봅니다.
보통 O2/N2는 반응성 스퍼터링에 사용되는 것으로 알고 있습니다.
혹시나, (1) Ar 대신 O2 or N2만 주입해도 플라즈마가 형성이 가능한가요?
그리고 (2) 타겟없이도 플라즈마가 뜨는가요?
이 두 부분이 궁금합니다.
생뚱맞는 질문일수도 있지만,
답변 부탁드립니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76847 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20254 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68745 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92605 |
| 537 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13205 |
| 536 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13062 |
| 535 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12812 |
| 534 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12765 |
| 533 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12511 |
| 532 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12363 |
| 531 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11471 |
| 530 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11460 |
| 529 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11419 |
| 528 | DC bias (Self bias) [3] | 11280 |
| 527 | RGA에 대해서 | 10549 |
| 526 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10398 |
| 525 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10381 |
| 524 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10367 |
| 523 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10312 |
| 522 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 10001 |
| 521 | ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] | 9866 |
| 520 | 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. | 9844 |
| 519 | 수중 방전 관련 질문입니다. [1] | 9671 |
| 518 | 대기압 플라즈마에 대해서 | 9639 |
대부분의 asher 들은 이온의 에너지 보다는 라디컬의 화학반응성을 이용하는 경우가 많습니다. 스퍼터링의 효과는 물리적으로 입사되는 입자가 전달하는 세기, 즉 질량과 충돌 에너지에 비례합니다. 우리가 Ar을 쓰는 이유는 질량이 크기 때문이며, 바이어스를 사용하는 이유는 에너지를 키우기 위함입니다. 두가지 조건을 맞추어 주면 스퍼터링 효율을 높일 수가 있겠습니다. 따라서 화확반응을 결합하려면 가스를 섞에서 쓰는 방법도 좋습니다. 즉 Ar+O2를 쓰면 되겠습니다. 그리고 아르곤은 비교적 플라즈마를 잘 만드는, 즉 적은 전력을 써서 플라즈마를 형성할 수 있는 장점도 있습니다. 아울러 스퍼터 타깃은 플라즈마 이온이 가속 에너지를 갖고 입사할 수 있는 전극에 놓이게 해야 스퍼터링 효과가 커지게 됩니다. 따라서 DC 스퍼터에서는 음의 바이어스 전극을 타깃 전극으로 사용하는 것이 좋을 것입니다. 스퍼터링은 에너지와 각도 및 질량의 함수라는 점을 고려하시기 바랍니다.