Deposition 플라즈마 색 관찰

2018.05.08 14:21

우인범 조회 수:4263

안녕하세요, 반도체분야로 취업하려는 취업준비생입니다.


얼마전에 공정실습을 다녀왔었는데요. SiO2 를 PECVD로 증착하는 과정에서 플라즈마 관찰을 했었습니다. process gas로 N2O를 SiH4보다 많이 투입했음에도 불구하고 SiH4의 플라즈마 색이 관찰된 것에 대해서 이유를 분석해보라는 문제를 주셨습니다. 


당시에는 두 가스의 플라즈마 색이 갖는 파장이 합성됐을 때 푸리에와 관련해서 나온 현상이라고 이해했었는데, 다시생각해보니 정확한 정리가 잘 되지 않았습니다.


이 현상에 대해서 피드백을 받을 수 있을까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76748
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68707
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92306
470 자료 요청드립니다. [1] 6207
469 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6184
468 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6072
467 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6003
466 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5927
465 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5904
464 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5858
463 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5812
462 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5679
461 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5536
460 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5458
459 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5274
458 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5154
457 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5069
456 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4954
455 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4813
454 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4489
453 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4322
452 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4275
» 플라즈마 색 관찰 [1] 4263

Boards


XE Login