RPS를 이용하여 SiO2를 식각을 하려 하는데요..

가스는 NF3, NH3, O2를 이용하려 합니다.

NF3를 RPS쪽으로 흘려서 Plasma로 인가를 시키고..  NH3는 Gas상태로 다른 라인을 이용하여 함께 넣어 보았는데요...

SiO2가 생각보다 Etching이 되지 않네요...

어떤조건을 건드려 보는게 SiO2 에칭에 가장 효과 적일까요..?

조언 부탁 드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77204
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20464
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57360
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92945
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6316
485 자료 요청드립니다. [1] 6214
484 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6120
483 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6100
482 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6006
481 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5974
480 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5950
479 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5874
478 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5714
477 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5632
476 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5509
» SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5455
474 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5309
473 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5223
472 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5129
471 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4878
470 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4596
469 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4389
468 플라즈마 색 관찰 [1] 4354
467 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4340

Boards


XE Login