Etch Plasma 식각 test 관련 문의

2021.12.13 16:57

벅바 조회 수:3963

안녕하세요.

 

플라즈마 식각 중량변화 테스트를 O2가스와 NF3,AR(3:1) 비중으로 60분동안 200W전력 조건으로 

 

제품은 불소고무 O-RING 입니다.

 

할 수 있는곳이 있을까요?? 

 

도움 부탁드리겠습니다..

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76696
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92220
447 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4168
446 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4138
445 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4004
444 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
» Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3963
442 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3949
441 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3902
440 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3890
439 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3798
438 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3749
437 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3740
436 Descum 관련 문의 사항. [1] 3717
435 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3684
434 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3679
433 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3641
432 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3609
431 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3556
430 ESC Cooling gas 관련 [1] 3524
429 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3523
428 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3514

Boards


XE Login