안녕하세요, 반도체산업으로 취업을 준비하는 학부생입니다.

제가 가진 자료에서는 CCP 방식이 플라즈마 밀도가 낮고 균일도는 높으며, ICP는 이와 반대라는 내용만 있고 그에 대한 근거는 언급되어 있지 않아서 이 사이트를 포함해서 구글링을 통해 근거를 탐구하고 있습니다.


그러나 제가 찾은 여러 자료들 속에 근거의 재료들이 있었을 것이라고 생각이 들지만, 학부생의 시각에서는 이해가 어려워서 재료들을 연결해서 답으로 도출하는 데 어려움이 있었습니다. 그래서 최종적으로 이렇게 질문으로 남기게 되었습니다.


1. 플라즈마 밀도에 대해서, CCP는 전자이동이 전극 간 전기장에 의한 운동이어서 전극에 의한 소멸로 인해 밀도가 낮고, ICP는 전자이동이 원운동이어서 전극에 관계 없이 충돌 전 까지 계속해서 가속이 가능하기 때문에 밀도가 높다고 정리를 했습니다. 좀 더 첨언이나 수정이 있는지 의견을 구하고 싶습니다.


2. 밀도에 관해서는 그나마 근거도출에 접근할 수 있었으나, 균일도에 관해서는 도저히 근거를 도출할 수 없어서 안타깝게도 교수님의 의견을 듣고 싶습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76875
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68752
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92698
457 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4215
456 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4167
455 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4057
454 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3994
453 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3979
452 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3973
451 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3963
450 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3961
449 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3870
448 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3842
447 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3807
» CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3760
445 Descum 관련 문의 사항. [1] 3744
444 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3715
443 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3658
442 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3646
441 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3563
440 ESC Cooling gas 관련 [1] 3559
439 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3559
438 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3557

Boards


XE Login