안녕하세요,

재료공학과 연구실에서 연구를 하고 있는 대학원생입니다.

항상 좋은 답변 해주셔서 많은 도움을 받고 있습니다.


제가 이번에 Arcing 관련 이슈를 공부하고 있는데,


1. DC plasma에서의 arcing과 RF plasma에서의 arcing사이에 어떤 차이가 있는지 궁금합니다.

그리고,

2. RF plasma에서 발생하는 arcing을 줄일 수 있는 방법에는 어떠한 것들이 있는지도 궁금합니다.


감사합니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76902
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20295
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57212
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68764
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92723
439 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3558
438 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3495
437 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3461
436 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3448
» RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3446
434 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3441
433 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3372
432 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3347
431 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3335
430 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3333
429 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3251
428 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3250
427 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3214
426 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3171
425 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3167
424 CVD 공정에서의 self bias [1] 3158
423 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3060
422 Plasma etcher particle 원인 [1] 3018
421 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3017
420 RF matcher와 particle 관계 [2] 2989

Boards


XE Login