Sheath RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교
2023.01.11 20:48
안녕하십니까 식각 관련 업무를 배우고 있는 엔지니어입니다. 알아본 바로는 LF일 때의 Sheath 영역이 HF일때보다 더 두껍다, 크다 라고 알고 있습니다. 이온의 이동성으로 생각해봤을 때, LF일 때가 HF일때 보다 이온이 반응할 수 있는 시간이 길고 이동이 더 가능하다. 즉, 이온의 밀집지역이 전극에서 더 멀어져있다, Sheath 영역이 더 두껍다 라고 이해했는데 이 생각이 맞는지 궁금합니다.
그리고 etch 진행시 LF power를 인가하면 Ion bombardment를 이용할 수 있다고 했는데, Sheath 영역이 더 두껍기 때문에 Ion을 끌어오기 더 용이해서라고 이해하면 되는지 궁금합니다. 답변주시면 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76795 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20231 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57179 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68727 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92523 |
771 | RF에 대하여... | 32021 |
770 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 32005 |
769 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31672 |
768 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31552 |
767 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30018 |
766 | 플라즈마 밀도 | 29990 |
765 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29745 |
764 | matching box에 관한 질문 [1] | 29676 |
763 | 플라즈마의 정의 | 29475 |
762 | 물질내에서 전하의 이동시간 | 29401 |
761 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29266 |
760 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 | 28929 |
759 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28732 |
758 | Arcing [1] | 28652 |
757 | 반도체 관련 질문입니다. | 28579 |
756 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [1] | 28531 |
755 | 플라즈마와 자기장의 관계 | 28363 |
754 | esc란? | 28077 |
753 | sheath와 debye shielding에 관하여 | 27851 |
752 | 탐침법 | 27849 |
대략 맞는 분석입니다. 게시판에서 플라즈마 주파수와 쉬스 형성에 대해서 좀 더 조사해 보세요. 개념 정립에 도움이 될 것 같습니다. 요즘 dual f bias 가 유행이죠? 왜 그 특정 주파수의 중첩을 공정에서 필요로 하는지 이해가 가능할 겁니다.