DC glow discharge 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light]

2017.11.10 11:27

physw35 조회 수:2981

안녕하세요 현재 2차원물질 공정을 연구하는 석사과정 대학원생입니다.

이 공정중에는 플라즈마 처리가 있는데요

power가 커짐에 따라 챔버내부의 빛도 밝아지는 것을 볼수 있는 반면에

압력을 30에서 120mTorr으로 증가시켰을때는 어두워지는 것을 관찰하였습니다.

power와 마찬가지로 압력도 밝기에 비례할것이라고 예상하였는데 어떤 이유가 있는지 궁금합니다.

 

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103409
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24722
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61549
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73527
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105980
454 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링] [2] 3620
453 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3590
452 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3552
451 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3407
450 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3394
449 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3373
448 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 3364
447 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 3319
446 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 3271
445 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3239
444 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3230
443 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3222
442 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3215
441 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 3204
440 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 3187
439 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3177
438 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3103
437 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3059
436 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 3055
435 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 3052
쓰기
태그

Boards

XE Login