교수님 안녕하세요, 플라즈마 관련 공부를 하고 있는 취업준비생입니다.

ICP 장비를 공부하다가 궁금한점이 생겨서 질문 올립니다.

1. ICP장비는 소스파워로 이온 밀도를 조절하고, 바이어스 파어로 이온 에너지를 조절한다고 하는데, 소스파워는 이해가 가는데

바이어스 파워로 이온 에너지를 조절한다는 메커니즘이 이해가 안갑니다. 블로킹 커패시터를 달아서 한다고 하는데, 이해가 안가네요..


2. capacitive coupling이라는 현상으로 인해 벽이 스퍼터 되는 문제점이 발생한다고 하는데, 이 벽이 스퍼터 된다는게

플라즈마가 균일하지 않게 된다는 말일까요?


3. 이 질문은 PE CVD 관련 질문인데요, PECVD를 진행할 때 전극 면적비를 같게 하는 이유가 라디칼을 이용한 증착 방법이기 때문에

   이온의 영향을 줄이기 위함이다. 이렇게 생각했는데, 제 생각의 논리가 맞을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [250] 76379
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19968
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57055
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68517
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91226
370 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2399
369 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2356
368 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2321
367 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2314
366 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2310
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2273
364 Wafer particle 성분 분석 [1] 2269
363 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2269
362 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2267
361 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2259
360 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2255
359 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2253
358 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2248
» 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2241
356 etching에 관한 질문입니다. [1] 2219
355 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2218
354 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2217
353 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2215
352 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2209
351 플라즈마볼 제작시 [1] file 2200

Boards


XE Login