Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:2338

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76851
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20258
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68747
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92609
397 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2448
396 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2435
395 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2432
394 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2397
393 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
392 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2355
391 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2349
390 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2348
389 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2344
» Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2338
387 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2337
386 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2336
385 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2335
384 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2333
383 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2331
382 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2328
381 Wafer particle 성분 분석 [1] 2326
380 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2321
379 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2285
378 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2284

Boards


XE Login