Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리]
2021.06.24 22:36
안녕하십니까 교수님!!.
가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.
PECVD에서..
HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상
LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요?
density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.
(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.
막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지
(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)
아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다.
추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고
반대로 LF영역에서는 frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?
질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.
댓글 2
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김곤호
2021.06.26 20:09
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러너오브플라즈마
2022.10.16 20:04
안녕하세요, 교수님.
PECVD 관련 분야에 이제 막 종사하게 된 연구원입니다.
여러 게시물 보며 도움을 많이 받고 있습니다, 감사합니다.
답변 달아주신 본문의 내용과 관련하여 추가 질문이 있어 문의드립니다.
주파수 차이에 의해 HF는 전자에 에너지를 더 가해주기 쉽고, LF는 이온에 에너지를 가해주기 쉽다고 하셨는데요,
제가 이해한 바로는 둘다 모두 첨부된 사진과 같이 RF 영역에 속하며 주파수에 따라 구분되는 것으로 알고 있습니다.
그럼 딱 저 두 주파수 대역의 특징이라기 보다는,
1) 주파수가 낮을수록 이온에 에너지를 가해주기 쉽고 주파수가 높을수록 전자에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하면 될까요?
2) 아니면 LF, HF 두 주파수대역의 특징이라고 봐야하나요?
3) VHF와 같이 더 높은 주파수 대역의 파워 소스를 사용하면 또 다른 특징을 가지게 되나요?
만약 1) 과 같이 일반적인 특징이라면,
주파수에 따라 왜 전자 혹은 이온에 에너지를 더 가해주기 쉬운지 이유가 궁금합니다.
너무 기초적인 질문일 수 있으나, RF 파워소스에 대해 자세히 공부할 수 있던 기회가 없어서 이렇게나마 질문드립니다..
감사합니다!
잘 이해하셨습니다. 리시피 개발에 잘 활용해 보세요.
이참에 플라즈마 장비 물리도 좀 더 공부하시는 계기가 되었으면 합니다.