안녕하십니까 플라즈마 입문단계를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 공부를 하는 중에 플라즈마 소스 부분에 직류 글로우 방전에서 r-process 부분에서 2차 방출이 일어나는데

여기서 이차전자가 이온화를 잘시키는 것으로 알고 있습니다. 하지만 이온은 그에 비해 잘 시키지 못한것 같습니다

정리하자면 플라즈마에서 이온은 전자에 비해 중성종을 이온화시키기 어려운 이유가 무엇일까요?

기본적인 내용인데 많이 부족해서 모르겠습니다.

부탁드립니다!! 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76886
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20282
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57200
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92712
379 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2287
378 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2275
377 etching에 관한 질문입니다. [1] 2274
376 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2265
375 플라즈마볼 제작시 [1] file 2250
374 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2250
373 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2247
372 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2179
» 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2150
370 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2145
369 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2097
368 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2083
367 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2083
366 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2074
365 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2034
364 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2023
363 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2023
362 chamber impedance [1] 2016
361 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2015
360 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1990

Boards


XE Login