Remote Plasma remote plasma 데미지 질문

2020.04.18 19:32

룰루랄라 조회 수:14475

안녕하세요 


반도체 공부하고 있는 학생입니다


반도체 관련 논문을 읽다 모르는 것이 있어 질문드립니다

remote plasma  경우 소스와 타겟 물질의 거리가 멀어 direct plasma 보다 플라즈마 데미지가 낮다고 하는데,

제가 알기로는 거리가 멀면 mean free path가 길어지고 플라즈마가 가속되어 에너지가 더 큰 것으로 알고 있습니다

그럼 충돌에너지가 커서 데미지가 더 커지는거 아닌가요..?


자세한 답변 부탁드립니다 감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76828
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20251
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68742
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92581
376 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2279
375 etching에 관한 질문입니다. [1] 2268
374 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2255
373 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2251
372 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2247
371 플라즈마볼 제작시 [1] file 2246
370 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2239
369 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2175
368 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2142
367 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2136
366 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2073
365 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2065
364 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2054
363 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2042
362 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2020
361 chamber impedance [1] 2012
360 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2004
359 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2001
358 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2001
357 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1979
쓰기
태그

Boards

XE Login