Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:2082

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76885
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20280
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57200
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68757
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92712
379 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2287
378 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2275
377 etching에 관한 질문입니다. [1] 2274
376 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2265
375 플라즈마볼 제작시 [1] file 2250
374 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2250
373 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2247
372 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2179
371 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2150
370 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2145
369 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2097
368 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2083
» LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2082
366 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2074
365 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2034
364 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2023
363 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2022
362 chamber impedance [1] 2016
361 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2015
360 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1990

Boards


XE Login