Collision Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요?
2012.02.16 05:21
안녕하세요.
반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.
Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.
배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.
하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.
질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.
Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.
Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,
갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76791 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20229 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68723 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92455 |
| 331 | N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] | 1814 |
| 330 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1801 |
| 329 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1765 |
| 328 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1761 |
| 327 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1743 |
| 326 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1739 |
| 325 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1704 |
| 324 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1695 |
| 323 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1688 |
| 322 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1682 |
| 321 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1672 |
| 320 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1664 |
| 319 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1662 |
| 318 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1654 |
| 317 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1622 |
| 316 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1614 |
| 315 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1608 |
| 314 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1603 |
| 313 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1564 |
| 312 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1535 |