ICP ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!!
2021.03.01 21:54
안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76864 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20265 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68750 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92668 |
297 | MATCHER 발열 문제 [3] | 1437 |
296 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1435 |
295 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1434 |
294 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1423 |
293 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1418 |
292 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1414 |
291 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1411 |
290 | dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] | 1406 |
289 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1397 |
288 | 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] | 1396 |
287 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1393 |
286 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1386 |
285 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 1379 |
284 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1370 |
283 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1370 |
282 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1364 |
281 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1362 |
280 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1355 |
» | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1354 |
278 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1345 |