안녕하세요. 

저희 장비에서 RF는 상부와 하부로 나뉘어져 있고 하부 쪽에서 Vpp가 측정됩니다. 보통 이것과 Ion energy를 비례하게 해석하던데, 어떻게 연결 지어야 하는지 궁금합니다.

장비 설명에서 Vpp는 RF Matcher의 Position으로부터 도출되는 것이라고 설명되있었습니다.

즉 하부에서 RF reflect가 존재해야 Vpp가 계산된다는 것인데, 이것으로 어떻게 Ion Energy를 예상하는지...

일반적으로 입사되는 Ion이나 전자의 전하 움직임을 Reflect로 해석하는 것인가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20246
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57186
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68738
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92575
295 MATCHER 발열 문제 [3] 1432
294 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1430
293 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1425
292 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1418
291 플라즈마 관련 교육 [1] 1411
290 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1404
289 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1402
288 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1399
287 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1395
286 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1391
285 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1383
284 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1382
283 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1377
282 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1363
281 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1360
280 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1356
279 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1355
278 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1354
277 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1343
276 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1340

Boards


XE Login