안녕하세요 반도체 공정에서의 plasma에 대해 이해가 가지 않는 부분이 있어 글을 작성하게 되었습니다.

 

적절한 공정 압력, 공정 방식을 통하여 플라즈마를 형성한다고 알고 있습니다.  + RF를 이용한 충돌 횟수 증가 

이에 pump를 이용하여 진공 상태에서 gas를 주입하여 플라즈마 환경을 조성하는 것은 알고 있으나

 

온도 조절을 통해 plasma 환경을 조성하는지도 궁금합니다. plasma를 형성하기 위해 많은 에너지가 필요하고, 이에 대해 열 에너지가 필요하나, RF와 공정 압력으로 대신한다. 이렇게 보면 될까요? 

 

온도의 경우, chuck heater를 사용하여 chuck 위의 wafer에서의 화학반응을 촉진하여, CVD의 경우 보다 좋은 step coverage를 , etch의 경우 보다 좋은 etch rate를 위해 사용한다. 이 정도로 알고 있는데 이 것이 아닌 chamber의 온도 조절을 통하여 반도체 공정에서의 plasma 형성에 영향을 미치는지 궁금합니다. 

 

pump를 이용하여 MFP를 조절, 플라즈마 밀도의 조절 

온도를 이용하여 화학적 반응성 촉진

RF를 이용하여 전자의 충돌 빈도를 높여, 낮은 압력에서도 적절한 plasma 밀도 형성 

 

이렇게 보면 되는지 궁금합니다.

 

1) RF의 경우, 13.56 mhz의 주파수를 통하여, shower head로 나가 ground로 향하면서 e- field가 형성되고, 이에 자유 전자의 움직임이 형성되어 충돌로 인한 plasma 형성 : 이 설명이 맞는지 궁금합니다. 

 

2) 13.56mhz가 아닌 주파수를 변경하게 되면 plasma 형성에 어떤 영향을 끼치는지 궁금합니다. 공정에 따라 plasma 밀도를 변경하는 것일까요? 시중에 13.56mhz에 대한 설명밖에 없어 여쭙습니다.

 

부족한 글 솜씨에, 부족한 전자공학적 지식이지만 명쾌한 해결법을 얻지 못하여 글 남기게 되었습니다.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102724
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24675
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61389
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73456
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105792
313 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [Byproduct와 gas flow, cleaning] [1] 1734
312 low pressure영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니다. [파센 커브와 글로우 방전] [1] 1729
311 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [Global model] [1] 1708
310 Plasma 발생영역에 관한 질문 [Plasma sheath의 형성과정] [2] 1707
309 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [전자 소실 및 플라즈마 전위] [3] 1687
308 플라즈마 챔버 [화학반응 및 내열조건] [2] 1685
307 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [전자전류의 해석] [1] 1675
306 강의를 들을 수 없는건가요? [플라즈마 진단 심포지움 및 PSES-net] [2] 1672
305 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드] [1] 1666
304 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1661
303 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요 [RF power와 power factor] [1] 1655
302 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경] [1] 1646
301 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1642
300 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [Plasma actuator와 DBD 방법] [3] 1641
299 전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과] [1] file 1634
298 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [플라즈마 전류량] [1] 1625
297 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [Collisional sheath 정의] [1] 1623
296 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [Remote plasma 이해] [1] 1621
295 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [플라즈마 생성 반응] [1] file 1621
294 RF Frequency 가변과 Forward Power의 상관관계 [임피던스 매칭] [2] 1620

Boards


XE Login