Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77029 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20353 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57274 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68819 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92821 |
261 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1198 |
260 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1197 |
» | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1197 |
258 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1185 |
257 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1180 |
256 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1179 |
255 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1174 |
254 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1168 |
253 | 공정플라즈마 [1] | 1165 |
252 | 전자 온도 구하기 [1] | 1161 |
251 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1155 |
250 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1152 |
249 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1147 |
248 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1147 |
247 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1146 |
246 | 자기 거울에 관하여 | 1146 |
245 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1146 |
244 | wafer bias [1] | 1144 |
243 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1139 |
242 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1136 |