안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79533
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21324
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58123
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69686
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94577
284 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [국부 전기장 형성 및 reflect power] [2] 1337
283 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [PMI] [2] 1327
282 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [Wave guide 설계 및 matcher 설계] [1] 1322
281 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1312
280 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1308
279 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [Collisional sheath 정의] [1] 1308
278 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드] [1] 1299
277 전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과] [1] file 1297
276 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1289
275 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속] [1] 1282
274 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1271
273 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1269
272 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1269
271 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [DBD] [1] 1263
270 공정플라즈마 [플라즈마 입자 거동 및 유체 방정식] [1] 1248
269 wafer bias [Self bias] [1] 1244
268 RF 반사파와 이물과의 관계 [Physical/chemical cleaning] [1] 1242
267 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1242
266 대학원 진학 질문 있습니다. [전공 설계] [2] 1236
265 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion] [1] 1235

Boards


XE Login