DC 바이어서 혹은 Self Bias 주제어로 검색해 보시기를 추천드립니다. Self bias는 타킷이 가진 capacitor 성질에 따라서 표면에 플라즈마 전자들의 하전량에 의해 결정되게 됩니다. 여기서 cap 성질이라면 타킷의 양면, 즉 전력이 인가되는 chuck 표면의 전위와 타킷과 사이의 간극이 갖는 축전용량과 타킷 물질의 축전용량으로 크게 구성이 될 것 같습니다. 따라서 wafer chucking 에서 큰 변화가 없고 bias 전압이 바뀌고 있다면 chucking 특성의 변화, 즉 wafer 간극의 변화에 의해 cap이 바뀐 상태가 아닌가 의심이 됩니다. 만일 간간이 이런일이 일어난다면 chucking 상태를 감시해 보는 것도 방법일 것 같고, 또는 chucking이 잘 되고 있는지의 판단 자료로서 활용도 가능할 것 같습니다.