CCP Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance
2020.04.06 11:29
안녕하세요,
반도체 회사에서 CVD 장비 업무를 맡고 있는 이윤재입니다.
업무 중 CCP Type Chamber에 Warpage 심화 Wafer가 투입되었을 때,
Impedance I 가 Drop 되는 현상이 있었습니다.
이 때 이 원인을 파악하려고 하는데, 논문이나 과거 자료를 봐도 나오지가 않아서
질문을 드립니다..
Q. Warpage 심화 Wafer가 상대적으로 Flat한 Wafer 보다 Impedance Drop이 되는 원인은,
Edge 쪽 ( Wafer와 Heater가 Contact 되지 않음) 이 문제가 되는 것으로 추정되는데
정확한 원인이 무엇인지 궁금합니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
229 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1104 |
228 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1087 |
227 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1081 |
226 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1071 |
225 | 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] | 1066 |
224 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1064 |
223 | HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] | 1059 |
222 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1059 |
221 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1056 |
220 | Plasma Arching [1] | 1051 |
219 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1050 |
218 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1045 |
217 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1038 |
216 | 플라즈마 코팅 [1] | 1036 |
215 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
214 | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 1029 |
213 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1022 |
212 | langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] | 1016 |
211 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1013 |
210 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1011 |