안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 장비엔지니어 입니다.

 

에칭을 진행하는 특정 공정에서 특정 Step을 진행하는 중간에

 

60Mhz만 Ref가 튀면서 Bias Power도 튀는 현상이 있습니다..

 

27Mhz, 2Mhz도 사용하지만 해당 Power의 Ref는 정상이구요..

 

매쳐나 Generator를 바꿔봐도 현상이 똑같은거보면 chamber 내부에서 분위기가 달라지면서 발생하는 현상일 것 같은데

 

어떤 이유들이 이런 현상을 일으킬 수 있을까요..?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92263
228 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1102
227 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1086
» 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1075
225 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1070
224 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1063
223 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1058
222 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1056
221 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1056
220 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1055
219 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1050
218 Plasma Arching [1] 1047
217 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
216 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1037
215 플라즈마 코팅 [1] 1036
214 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
213 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1028
212 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1021
211 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1015
210 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
209 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1007

Boards


XE Login