Sheath 전쉬스에 대한 간단한 질문
2019.10.26 22:26
안녕하십니까 교수님. 플라즈마를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.
다름이 아니라 전쉬스 부분에서 전자밀도와 이온 밀도가 같다고 할 수 있는 근거가 무엇입니까? 또한 전쉬스 공간의 길이는 디바이 길이보다 훨씬 커야하는데 전쉬스 공간의 길이의 제한범위가 있는지요?
cf)
플라즈마 기초부부넹서 EXB 표류 운동에서 전기장 대신 중력이 전기장 방향으로 작용한다면 전자와 이온의 표류운동은 어떻게 되는 궁금합니다.
항상 성심껏 답변해주셔서 감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76815 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20244 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68737 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92573 |
| 755 | 플라즈마 온도 | 27799 |
| 754 | DBD란 | 27732 |
| 753 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27635 |
| 752 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27215 |
| 751 |
이온과 라디칼의 농도
 | 27005 |
| 750 | self bias (rf 전압 강하) | 26723 |
| 749 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26478 |
| 748 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26199 |
| 747 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26172 |
| 746 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26164 |
| 745 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25583 |
| 744 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24987 |
| 743 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24882 |
| 742 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24869 |
| 741 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24774 |
| 740 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24758 |
| 739 | plasma와 arc의 차이는? | 24717 |
| 738 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24660 |
| 737 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
| 24601 |
| 736 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24518 |
플라즈마 형성에서 단계를 보면 이온화로 부터 이온과 전자들이 만들어집니다. 따라서 이온과 전자는 쌍으로 생성되고 소멸시에는 이 두전하의 결합과정을 거키게 됩니다. 하지만 전자들은 훨씬 큰 유동도 (mobility)를 가지고 거동하므로 절대 밀도는 같지 않은 준 중성상태 (quai-neutrality) 조건이 만족됩니다. 이를 참고하여 게시판에 올려진 '플라즈마 상태', '디바이 차폐 길이' 및 '쉬스'형성에 대한 키워드로 찾아 보시고 설명을 참고하면 이해에 도움이 될 것입니다.