Etch 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다.
2023.06.16 16:51
안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.
다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.
주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다.
4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?
SiO2+4F->SiF4 (g) +2O
전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다.
답변 주시면 감사하겠습니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76815 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20242 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68737 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92572 |
| 755 | 플라즈마 온도 | 27798 |
| 754 | DBD란 | 27732 |
| 753 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27635 |
| 752 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27215 |
| 751 |
이온과 라디칼의 농도
 | 27005 |
| 750 | self bias (rf 전압 강하) | 26723 |
| 749 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26478 |
| 748 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26199 |
| 747 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26172 |
| 746 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26163 |
| 745 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25583 |
| 744 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24987 |
| 743 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24882 |
| 742 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24869 |
| 741 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24774 |
| 740 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24758 |
| 739 | plasma와 arc의 차이는? | 24716 |
| 738 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24660 |
| 737 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
| 24601 |
| 736 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24518 |
이미 반응식으로 부터 부산물 생성량을 추론해 볼 수 있을 것 같은데, 자신있게 해 보세요.
참고자료로는 Chap 15. section 3, "Principles of Plasma Discharges and Materials Processing" (M.A. Lieberman and A.J. Lichtenberg) 참고하면 좋습니다. 훌륭한 졸업 논문이 되겠군요.