Etch 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량
2023.02.09 13:21
안녕하세요. 반도체 회사 재직중인 설비엔지니어입니다.
텅스텐 DEPO 설비 유지보수 중에 RF Plasma를 통한 텅스텐 Cleaning에 문제점이 생겨 조언을 얻고자 질문드립니다.
텅스텐 Plasma Clean 조건
2100W Generator Power / C2F6 : O2 (1:1 비율) / 300mTorr Chamber Pressure / 13.56MHZ Matcher
Plasma Cleaning 진행 중 깜빡깜빡이는 현상이 확인되며 PM을 하고자 Chamer Open 했을 때
텅스텐이 Etching 되지 않고 Heater 및 Shower Head에 텅스텐이 그대로 남아있는 현상이 발생했습니다.
관련하여 챔버에 압력/Clean gas/RF 계통의 Part들을 교체해 보고 있으나 현상이 개선되지 않아
플라즈마 깜빡깜빡이는 현상이 Etching 효율을 떨어뜨리는 걸로 보이는데 문제점이 무엇일지 조언 받고싶습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76871 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20273 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92694 |
757 | 플라즈마 온도 | 27806 |
756 | DBD란 | 27749 |
755 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27648 |
754 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27217 |
753 | 이온과 라디칼의 농도 | 27018 |
752 | self bias (rf 전압 강하) | 26736 |
751 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26487 |
750 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26212 |
749 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26193 |
748 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26177 |
747 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25586 |
746 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24988 |
745 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24892 |
744 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24885 |
743 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24777 |
742 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24762 |
741 | plasma와 arc의 차이는? | 24744 |
740 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24667 |
739 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24612 |
738 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24523 |