안녕하세요 

현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다. 

플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다. 

공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76881
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20277
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68754
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92707
758 플라즈마 온도 27809
757 DBD란 27752
756 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27650
755 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27219
754 이온과 라디칼의 농도 file 27019
753 self bias (rf 전압 강하) 26743
752 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26489
751 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26214
750 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26199
749 충돌단면적에 관하여 [2] 26183
748 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25587
747 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24991
746 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24893
745 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24891
744 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24778
743 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24764
742 plasma와 arc의 차이는? 24753
741 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24670
740 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24618
739 플라즈마가 불안정한대요.. 24524

Boards


XE Login