Ion/Electron Temperature 플라즈마 온도
2004.06.21 15:18
플라즈마 온도
질문은 플라즈마의 온도가 높은데 어떻게 반응기안에 존재할 수 있는가입니다.
이 질문에는 이전에 답을 드린적이 있어요. 수록된 글을 참고하기 바라며 짧은 답을 드립니다.
반응기 내에서으 플라즈마 밀도는 대기중의 공기에 비해서 매우 낮아요. 예를 들어 반응기 내에서 플라즈마 밀도는 단위 cm3당
10에 8-13승 정도 있었요. 이에 반해서 공기 1기압에는 약 10에 19승개 정도의 입자가 존재하고 있어요. 따라서 플라즈마 입자의
온도가 1도에서 10000도(1eV)로 높아져도 우리가 대기중의 공기 온도 1도(1K) 변화에 비하면 거의 그 변화를 느끼기 힘들겠지요.
이같은 이유로 인해서 플라즈마의 온도가 높다하더라도 반응기의 전체온도가 플라즈마 온도까지 높아질 수는 없고 반응기는 무사
합니다. 하지만 대기압 플라즈마, 즉, 플라즈마 토치나 spray등에서는 플라즈마와 그 주변의 공기의 온도가 모두 높아서 토치에서
발생되는 플라즈마 열을 이용하여 철제 강판을 절단하거나 합니다. 이때의 플라즈마 밀도는 낮아도 주변 공기입자와 많은 충돌
로 인해서 주변 공기입자의 온도를 수천도까지 높이게 되어서 접촉하는 물질을 용융시키게 되는 것입니다. 따라서 이때에는 플라즈마
토치의 팁등은 잘 녹아 소모되기도 합니다.
계속 플라즈마 온도에 대해 관심을 가져보세요. 플라즈마의 특성중에서 플라즈마의 온도에 관한 관심은 매우 중요한 연구분야입니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] | 74885 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18737 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56224 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66689 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88017 |
678 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27003 |
» | 플라즈마 온도 | 26955 |
676 |
이온과 라디칼의 농도
![]() | 26559 |
675 | self bias (rf 전압 강하) | 26341 |
674 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26172 |
673 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 25741 |
672 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 25567 |
671 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25483 |
670 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24811 |
669 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24640 |
668 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24606 |
667 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24585 |
666 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24572 |
665 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 24418 |
664 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 24401 |
663 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24397 |
662 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24395 |
661 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 24203 |
660 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24075 |
659 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [1] | 24066 |