Remote Plasma PECVD 매칭시 Reflect Power 증가
2008.08.12 15:39
안녕하세요. 저는 연구실에서 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 갖고 실험하고 있는 학생입니다.
플라즈마가 기판으로 도달되지 않아 플라즈마를 기판으로 내리기 위해 tunner를 조절하여 어느정도
내렸습니다. 그런데 forward power가 증가함에 따라 Reflect power도 상당히 큰 값으로 증가했습니다. 매칭이 잘못된거 같은데 아무리 tunner를 크게 또는 작게 해도 소용이 없었습니다.
혹시 다른 매칭방법은 없나요? 재료공학과 학생이라 플라즈마에 대한 지식이 많이 부족합니다.
알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.^^
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [272] | 76806 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20240 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68736 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92569 |
754 | 플라즈마 온도 | 27797 |
753 | DBD란 | 27731 |
752 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27633 |
751 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27214 |
750 | 이온과 라디칼의 농도 | 27004 |
749 | self bias (rf 전압 강하) | 26722 |
748 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26478 |
747 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26199 |
746 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26171 |
745 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26158 |
744 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25583 |
» | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24987 |
742 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24882 |
741 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24869 |
740 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24774 |
739 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24756 |
738 | plasma와 arc의 차이는? | 24712 |
737 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24656 |
736 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24601 |
735 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24518 |