Matcher CURRENT PATH로 인한 아킹
2023.08.22 11:19
안녕하세요.교수님
이번에 설비사에서 Matcher Plate에 Matcher를 장착할 때 Plate와 Matcher 바닥면 사이 약간의 유격이 있는 상태에서 볼트로 체결하고 RF Power 13.56MHz 2kW 인가 해서 Output 커넥터(20PI 소캣타입)에 아킹이 발생 하였습니다. (크리피지 길이는 충분합니다.)
볼트로 체결하면서 Plate와 Matcher 사이는 완전이 붙었다곤 하지만 제생각엔 완전 면접촉 상태가 아니고 점접촉 상태에서 CURRENT PATH 때문에 아킹이 발생 한 것 같은데 이 원리를 이론적으로 잘 모르겠더라구요..
답변 부탁드립니다
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76816 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20246 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68738 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92575 |
| 755 | 플라즈마 온도 | 27799 |
| 754 | DBD란 | 27732 |
| 753 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27636 |
| 752 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27215 |
| 751 |
이온과 라디칼의 농도
 | 27005 |
| 750 | self bias (rf 전압 강하) | 26724 |
| 749 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26480 |
| 748 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26201 |
| 747 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26172 |
| 746 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26164 |
| 745 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25584 |
| 744 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24987 |
| 743 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24884 |
| 742 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24869 |
| 741 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24774 |
| 740 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24758 |
| 739 | plasma와 arc의 차이는? | 24718 |
| 738 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24661 |
| 737 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
| 24601 |
| 736 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24519 |