안녕하세요.

 

CCP 설비에서 RF 주파수를 증가하면 플라즈마 밀도가 증가를 하고 주파수를 감소하면 이온에너지가 증가한다고 합니다.

이중에 플라즈마 밀도가 왜 증가하는지 알려주면 감사하겠습니다.

 

저는 Dry Etch 엔지니어 입니다.

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