안녕하세요 저는 현재 PECVD 장비를 사용하는 연구원입니다.

 

어플라이드社의 PRODUCER-S 설비로 ACL 공정을 Set-up하고 있습니다.

 

Unif를 잡기위해서 압려과 RF Power를 건드려 가며 조정 중에 있는데

 

RF Ref가 어떤 조건에서는 높게 뜨고 어떤 조건에서는 낮게 뜨는데 어떤 조건이 영향을 미칠까요?

 

알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78039
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20849
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93635
159 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 706
158 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 691
» Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 689
156 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 689
155 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 687
154 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [RF 전원과 matcher] [2] 683
153 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 680
152 RF Sputtering Target Issue [2] file 677
151 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 673
150 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 669
149 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 668
148 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 665
147 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 660
146 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 656
145 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 652
144 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 651
143 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 633
142 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 633
141 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 631
140 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 629

Boards


XE Login