Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2360

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76743
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20213
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68705
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92299
122 고온 플라즈마 관련 8090
121 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8035
120 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7704
119 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6581
118 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
117 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6492
116 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6413
115 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6250
114 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6071
113 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5855
112 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5455
111 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5272
110 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4274
109 플라즈마 색 관찰 [1] 4261
108 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4149
107 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
106 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3910
105 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3808
104 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
103 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3531
쓰기
태그

Boards

XE Login