Matcher CURRENT PATH로 인한 아킹
2023.08.22 11:19
안녕하세요.교수님
이번에 설비사에서 Matcher Plate에 Matcher를 장착할 때 Plate와 Matcher 바닥면 사이 약간의 유격이 있는 상태에서 볼트로 체결하고 RF Power 13.56MHz 2kW 인가 해서 Output 커넥터(20PI 소캣타입)에 아킹이 발생 하였습니다. (크리피지 길이는 충분합니다.)
볼트로 체결하면서 Plate와 Matcher 사이는 완전이 붙었다곤 하지만 제생각엔 완전 면접촉 상태가 아니고 점접촉 상태에서 CURRENT PATH 때문에 아킹이 발생 한 것 같은데 이 원리를 이론적으로 잘 모르겠더라구요..
답변 부탁드립니다
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76864 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20265 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68750 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92673 |
| 737 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24352 |
| 736 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24346 |
| 735 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24183 |
| 734 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
| 733 | self Bias voltage | 24075 |
| 732 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23986 |
| 731 | 플라즈마 쉬스 | 23947 |
| 730 | Arcing | 23840 |
| 729 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23771 |
| 728 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23456 |
| 727 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23401 |
| 726 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23342 |
| 725 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23269 |
| 724 | DC glow discharge | 23264 |
| 723 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23145 |
| 722 | No. of antenna coil turns for ICP | 23109 |
| 721 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23092 |
| 720 | CCP/ICP , E/H mode | 23039 |
| 719 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22949 |
| 718 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22857 |
저도 비슷한 생각입니다. RF 접지는 면접촉이 좋을 것 같네요. 접지를 개선해 보시면 좋을 것 같습니다.