Plasma in general plasma modeling 관련 질문
2022.12.04 20:24
안녕하세요, 저는 플라즈마 응용연구실에서 공부하고있는 우병준 이라고 합니다.
plasma modeling 에 대해서 공부를 하던 도중,
SIOC 박막을 CF4 plasma 를 이용해서 식각하는 과정에서, plasma modeling 이 들어가게 되었는데,
Langmuir probe 의 ion density 와 Te 를 갖고 F 의 flux 를 계산하는 방법을 알아내기 위해 여러 논문을 서칭했습니다만, 감이 잘 잡히지 않아서 어려움을 겪고있습니다.
0-dimension plasma modeling 을 하기 위해서 고려해야하는 reaction table 의 여러 반응들을 어떻게 기준을 잡아야하는지 잘 모르겠습니다.
예를들어, F의 flux 를 결정하는 조건들이 있을텐데 그 조건에 대한 기준을 어떻게 잡아야하는지 모르겠습니다.
다른 논문에서 진행했던 방식을 그대로 가져와서 하는건지, 아니면 제가 modeling 의 기준을 잡아야하는건가요 ?
처음하는 분야이다 보니 많이 막막해서, 어떤 방향으로 공부를 해 나가야할지 모르겠어서 질문드립니다..!
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76871 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20273 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92694 |
737 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24356 |
736 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24354 |
735 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24183 |
734 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24123 |
733 | self Bias voltage | 24078 |
732 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23987 |
731 | 플라즈마 쉬스 | 23948 |
730 | Arcing | 23841 |
729 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23772 |
728 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23457 |
727 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23410 |
726 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23343 |
725 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23269 |
724 | DC glow discharge | 23267 |
723 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23146 |
722 | No. of antenna coil turns for ICP | 23109 |
721 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23096 |
720 | CCP/ICP , E/H mode | 23043 |
719 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22950 |
718 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22857 |