Etch 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다.
2023.06.16 16:51
안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.
다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.
주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다.
4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?
SiO2+4F->SiF4 (g) +2O
전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다.
답변 주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77046 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20370 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57280 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68827 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92828 |
| 741 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24390 |
| 740 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24372 |
| 739 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24200 |
| 738 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24126 |
| 737 | self Bias voltage | 24106 |
| 736 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23994 |
| 735 | 플라즈마 쉬스 | 23974 |
| 734 | Arcing | 23861 |
| 733 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23781 |
| 732 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23465 |
| 731 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23420 |
| 730 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23348 |
| 729 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23278 |
| 728 | DC glow discharge | 23270 |
| 727 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23161 |
| 726 | No. of antenna coil turns for ICP | 23125 |
| 725 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23107 |
| 724 | CCP/ICP , E/H mode | 23081 |
| 723 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22953 |
| 722 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22860 |