ICP dry etch 장비에 대해 이제막 공부를 시작하고 있는데요..

RF Power로 부터 가해지는 전자기파가 도체 내를 통과할 수 있는 깊이가 skin depth라고 알고 있는데

그렇다면 skin depth가 클수록 전자기파가 플라즈마에 영향을 주어 플라즈마 밀도도 높아져서

etch rate 측면에서 볼 때 좋아진다고 생각이 되는데...  이런 메카니즘으로 이해하는것이 맞는 건지요..? 

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