Others 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성
2017.12.08 10:10
안녕하세요.
KIC 박동용입니다.
당사는 하드페이싱 관련 업체로 철판의 일면에 내식성, 내마모성이 우수한 합금을 용접공정으로 하드페이싱을 하는 업체입니다.
하드페이싱 후 하드페이싱 된 철판을 일정 형상으로 산소가스를 이용한 플라즈마절단을 수행하고 있습니다.
최근 환경검사중 플라즈마 절단기의 하부 수조에서 시안화물(CN)이 검출되어 검출원인을 조사중에 있습니다.
탄소강 혹은 STS 300계 철판 절단시 대기중의 질소와 철판내 존재하는 탄소가 플라즈마에 의해 결합이 가능한지 문의드립니다.
절단 소재 : SS400, STS 300계 철판
하드페이싱 소재 : C 3~4%, Cr 20~23%인 제품군 및 C 0.1%, Cr 13%, Ni 4% 전후의 제품군
시안화물(CN)의 광촉매 및 플라즈마에 의한 청정화 처리등에 대한 연구자료는 일부 확인을 하였는데,
플라즈마와 관련된 시안화물의 생성(or 결합) 과 관련된 자료는 확인하지 못했습니다.
도움 부탁드립니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
729 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24337 |
728 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24310 |
727 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24173 |
726 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
725 | self Bias voltage | 24034 |
724 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23973 |
723 | 플라즈마 쉬스 | 23934 |
722 | Arcing | 23804 |
721 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23760 |
720 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23442 |
719 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23382 |
718 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23332 |
717 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23261 |
716 | DC glow discharge | 23246 |
715 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23126 |
714 | No. of antenna coil turns for ICP | 23096 |
713 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23060 |
712 | CCP/ICP , E/H mode | 22979 |
711 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22943 |
710 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22852 |
상세한 반응에 대해서는 지식이 없습니다, 다만, HCN 등의 cyanide 의 합성에 CH4+NH3+O2 열분해로 생성이 되니, 산소 플라즈마 토치로 C 재료가 들어있는 재료를 cutting 하는 경우에 산소 플라즈마 속으로 혼입된 질소 (공기)와 cutting 부산물에서 나오는 탄소와 결합하는 조건은 충분히 만들어 질 수가 있겠습니다. 다만, COx와 NOx 계열의 생성물이 CN의 형성을 방해할 수는 있겠지만 CN이 전혀 생기지 못할 환경은 아닐 것 같습니다. 혹시 플라즈마 금속학 혹은 열플라즈마 (전북대학교 양자시스템공학과 서준호교수님)에서 관련 연구 자료가 있을 수도 있겠습니다.