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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[278]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인
[1] | 3343 |
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103 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1] | 3171 |
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Plasma 에칭 후 정전기 처리
[3] | 3060 |
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101 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 3014 |
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Plasma etcher particle 원인
[1] | 3011 |
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HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의
[1] | 2916 |
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98 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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97 |
[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 2815 |
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96 |
PR wafer seasoning
[1] | 2707 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2669 |
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94 |
산소양이온의 금속 전극 충돌 현상
[1] | 2591 |
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93 |
[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
[1] | 2503 |
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Ta deposition시 DC Source Sputtreing
| 2362 |
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 2356 |
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90 |
Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 2345 |
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89 |
플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다.
[1] | 2342 |
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88 |
sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지
[1] | 2332 |
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87 |
Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
[1] | 2299 |
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86 |
etching에 관한 질문입니다.
[1] | 2274 |
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85 |
Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법
[1] | 2083 |
