Plasma Source 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할.
2023.06.26 10:34
안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.
다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.
METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.
이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..
도움 부탁드립니다. 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76858 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20263 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57196 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92612 |
676 | 플라즈마 진단법에 대하여 [1] | 20579 |
675 | 확산펌프 | 20524 |
674 | wafer 전하 소거: 경험 있습니다. | 20483 |
673 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20432 |
672 | Langmuir probe tip 재료 | 20411 |
671 | CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] | 20391 |
670 | 상압 플라즈마 방전에 관한 문의 [1] | 20312 |
669 | 안녕하세요. GS플라텍 지성훈입니다. [1] | 20262 |
668 | 형광등과 플라즈마 | 20256 |
667 | 플라즈마 matching | 20251 |
666 | DBD플라즈마와 플라즈마 impedance | 20212 |
665 | Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. | 20206 |
664 | 플라즈마 진동수와 전자온도 | 20063 |
663 | 석영이 사용되는 이유? [1] | 20037 |
662 | CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유 | 20012 |
661 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19842 |
660 | 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] | 19783 |
659 | 상압플라즈마에서 온도와의 관계를 알고 싶습니다. | 19766 |
658 | PM을 한번 하시죠 | 19732 |