Process 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문
2021.12.28 19:16
안녕하세요. 플라즈마 연구실에서 식각 공정을 연구중인 대학원생입니다.
CF4 등 flourine 계열의 식각 가스를 사용하는 ICP 챔버를 이용해 관련 연구를 진행하고 있습니다.
연구 특성상 식각 가스를 비교적 장시간 사용 하고 있는데요, (ex) 실험 1 run당 continous하게 flourine plasma 1 시간 방전) 그러다보니
실험을 진행함에 따라 안테나 쪽 dielectric, edge ring, chamber wall 등 이 점점 까맣게 바뀌고 있습니다.
결정적인 문제는 Ar이나 N2 plasma 방전 실험에서도 시료 표면에서 flourine 성분이 측정되어, 플라즈마 방전 시, 챔버 parts 표면에서 flourine이 나오는 것으로 추정하고 있습니다. 실험간 O2 plasma를 통해 carbon에 대한 conditioning은 진행하고 있지만 잔류 flourine도 제거하는 방법이 있을 지 여쭙고 싶습니다.
없다면 챔버 parts에 대한 보수를 진행하려고 하는데, liner를 사용하지 않는 챔버라 wall에 대한 보수는 현실적으로 어려운 상황워서 conditioning이 간절하네요..
H2 plasma를 사용하여 Si wafer의 flourine을 제거하는 논문을 일부 보긴 했습니다만, 챔버 내부 parts에 대해서도 유효한 방법일 지는 모르겠습니다.
답변 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
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pal_webmaster
2022.02.03 16:04
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안녕하세요 플라즈마 응용 연구실입니다.
챔버 parts 의 벽면에 CF 계열의 polymer 가 쌓이는 경우, 혹은 벽면 물질이 Al, Y 계열인 경우 AlF3, YOF 등으로 변하는 경우 발생할 수 있는 문제로 보입니다.
Polymer 에 의한 효과라면 언급하신 O2 plasma 를 이용하여 효과적으로 잔류 carbon, fluorine 을 제거하실 수 있을 것입니다.
AlF3, YOF 등의 경우 BCl3 플라즈마, SiCl4/Cl2 플라즈마를 이용하여 제거할 수 있습니다.
Edge ring 과 wafer 에 잔류하는 fluorine 은 O2 plasma 내지는 ion sputtering 을 이용하여 제거하실 수 있습니다.
관련하여 프랑스의 Ramos 등이 작성한 논문을 참고하시면 좋을 것 같습니다.
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0963-0252/16/4/004