안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77308
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20506
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57415
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68954
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92989
» 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1186
549 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1188
548 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1190
547 전자 온도 구하기 [1] file 1193
546 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1194
545 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1199
544 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1208
543 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1212
542 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1216
541 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1229
540 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1239
539 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1240
538 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1256
537 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1259
536 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1265
535 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1276
534 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1281
533 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1288
532 플라즈마 챔버 [2] 1297
531 플라즈마 기초입니다 [1] 1302

Boards


XE Login