Others 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드]

2021.06.08 10:34

피했습니다 조회 수:1600

안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [329] 98797
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23953
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 60614
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72524
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 103429
611 라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수] [1] 1066
610 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2703
609 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 1976
608 전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과] [1] file 1575
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [Rise rate] [1] 483
606 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3830
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3535
» 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드] [1] 1600
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 2045
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1724
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [Chamber impedance] [2] 1388
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1341
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장] [1] 2318
598 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3662
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산] [1] 2600
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성] [2] 4213
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 401
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2676
593 low pressure영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니다. [파센 커브와 글로우 방전] [1] 1688
쓰기
태그

Boards

XE Login