안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77055
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20376
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57288
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68833
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92833
241 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1128
240 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1122
239 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1106
238 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1106
237 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1100
236 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1088
235 Plasma Arching [1] 1085
234 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1082
233 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1074
232 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1073
231 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1073
230 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1065
229 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1051
228 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1050
227 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1042
226 플라즈마 코팅 [1] 1042
225 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1035
224 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 1030
223 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1029
222 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1025

Boards


XE Login