Others 잔류시간 Residence Time에 대해
2021.06.08 10:34
안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.
항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.
다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.
저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,
이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.
같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데
이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77208 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57361 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68900 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
566 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1099 |
565 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1110 |
564 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1115 |
563 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1124 |
562 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1142 |
561 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1147 |
560 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1147 |
559 | 자기 거울에 관하여 | 1150 |
558 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1150 |
557 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1153 |
556 | wafer bias [1] | 1157 |
555 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1157 |
554 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1161 |
553 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1168 |
552 | 공정플라즈마 [1] | 1170 |
551 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1172 |
» | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1173 |
549 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1177 |
548 | 전자 온도 구하기 [1] | 1178 |
547 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1180 |